Вчені з Фуданського Університету в Китаї розробили новий рекордний напівпровідниковий накопичувач, який назвали PoX. Цей пристрій флеш-пам’яті може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. PoX є енергонезалежним і набагато швидшим за інші енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Вчені використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та розвитку технології. Зараз команда дослідників працює над перетворенням PoX на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.